使用多个掩模步骤减小临界尺寸的方法

专利权的终止

摘要

提供了一种用于在蚀刻层中形成特征的方法。在该蚀刻层上形成第一掩模，其中该第一掩模定义具有宽度的多个间隔。在该第一掩模上形成侧壁层。通过该侧壁层在该蚀刻层中蚀刻成特征，其中所述特征具有比由该第一掩模定义的间隔的宽度小的宽度。移除该掩模和侧壁层。在该蚀刻层上形成附加掩模，其中该附加掩模定义具有宽度的多个间隔。在该附加掩模上形成侧壁层。通过该侧壁层在该蚀刻层中蚀刻成特征，其中该特征的宽度小于由该第一掩模定义的间隔的宽度。移除该掩模和侧壁层。

基本信息

专利标题：

使用多个掩模步骤减小临界尺寸的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101164143A

申请号：

CN200680011242.4

公开（公告）日：

2008-04-16

申请日：

2006-01-20

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

J·马克斯R·S·M·萨亚迪

申请人：

兰姆研究有限公司

申请人地址：

美国加利福尼亚州

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司

代理人：

余刚

优先权：

CN200680011242.4

主分类号：

H01L21/027

IPC分类号：

H01L21/027 H01L21/31 H01L21/3213 H01L21/308 H01L21/3065