通过注入减小导电特征之间的间隔
实质审查的生效
摘要
本申请涉及通过注入减小导电特征之间的间隔。一种方法包括在源极/漏极区域之上形成第一电介质层，以及在源极/漏极区域之上形成源极/漏极接触插塞并将该源极/漏极接触插塞电连接至源极/漏极区域。源极/漏极接触插塞的顶部具有第一横向尺寸。执行注入工艺以将掺杂剂注入到第一电介质层中。该注入工艺使得源极/漏极接触插塞具有小于第一横向尺寸的第二横向尺寸。该方法还包括在蚀刻停止层之上形成第二电介质层，以及形成与源极/漏极接触插塞相邻的栅极接触插塞。
基本信息
专利标题 ：
通过注入减小导电特征之间的间隔
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114520188A
申请号 ：
CN202110304424.7
公开（公告）日 ：
2022-05-20
申请日 ：
2021-03-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈国儒刘书豪陈亮吟张惠政杨育佳周孟翰
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
朱亦林
优先权 ：
CN202110304424.7
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768 H01L21/265 H01L29/78
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-06-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/768
申请日 : 20210322
申请日 : 20210322
2022-05-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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