减小瞬态增强扩散的离子注入方法
授权
摘要
一种离子注入方法，包括以下步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底中以一注入方向执行预非晶化注入，该注入方向与所述半导体衬底的表面法线之间的角度在20-60°范围内；以及，在所述半导体衬底中执行掺杂剂的注入以提供浅结。在本发明的一个特征中，所述方法进一步包括在半导体衬底中执行缺陷俘获元素的注入，并且所述预非晶化注入步骤是以第一注入能量执行的，而缺陷俘获元素的注入是以第二注入能量执行的，所述第一注入能量和所述第二注入能量的比率在10-40％的范围内。
基本信息
专利标题 ：
减小瞬态增强扩散的离子注入方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101103443A
申请号 ：
CN200580043582.0
公开（公告）日 ：
2008-01-09
申请日 ：
2005-12-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
H·格拉欧里M·A·福德A·阿勒巴亚提
申请人 ：
应用材料有限公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
赵蓉民
优先权 ：
CN200580043582.0
主分类号 ：
H01L21/265
IPC分类号 ：
H01L21/265 H01L21/324
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/26
用波或粒子辐射轰击的
H01L21/263
带有高能辐射的
H01L21/265
产生离子注入的
法律状态
2009-09-09 ：
授权
2008-02-27 ：
实质审查的生效
2008-01-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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