离子注入机磁铁中的电子注入
授权
摘要
本发明是用一或多个电子源，将电子(18)注入即将在磁铁的磁极片(130，132)之间传送的一离子束(122)。在本发明部分实施例中，该些电子源是位于磁铁的磁极片的其中之一或两者的凹穴(160)中。在本发明其他实施例中，无线电频率或微波等离子流枪是位于磁极片之间，或配置在磁极片的至少其中之一的凹穴中。
基本信息
专利标题 ：
离子注入机磁铁中的电子注入
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101103432A
申请号 ：
CN200580046588.3
公开（公告）日 ：
2008-01-09
申请日 ：
2005-11-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
安东尼·雷诺唐纳·L·史麦特雷克詹姆士·贝福艾立克·赫尔曼森
申请人 ：
瓦里安半导体设备公司
申请人地址 ：
美国麻萨诸塞州
代理机构 ：
北京中原华和知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
寿宁
优先权 ：
CN200580046588.3
主分类号 ：
H01J37/317
IPC分类号 ：
H01J37/317 H01J37/02
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J37/00
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的
H01J37/30
物体局部处理用的电子束管或离子束管
H01J37/317
用于改变物体的特性或在其上加上薄层的，如离子注入
法律状态
2010-05-12 ：
授权
2008-02-27 ：
实质审查的生效
2008-01-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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