一种用于SiC高温离子注入的旋转加热靶及离子注入机
授权
摘要
本申请涉及半导体制造领域，具体而言，涉及一种用于SiC高温离子注入的旋转加热靶及离子注入机，用于对衬底进行离子注入工艺，所述旋转加热靶包括基板，所述基板上周向设置有多个用于安装衬底托盘的加热靶座，所述基板上设置有用于带动所述基板旋转的旋转轴，本方案通过设计一种多面式旋转加热靶实现多面衬底同时进行离子注入工艺并提高工艺的稳定性和均匀性，且该旋转加热靶可适用于原有的离子注入机，大大降低成本。
基本信息
专利标题 ：
一种用于SiC高温离子注入的旋转加热靶及离子注入机
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202220154541.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2022-01-20
授权号 ：
CN216719866U
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
王慧勇钟新华伍三忠赵海英盛飞龙
申请人 ：
季华恒一（佛山）半导体科技有限公司
申请人地址 ：
广东省佛山市南海区桂城街道环岛南路28号季华实验室B1栋5层507室
代理机构 ：
佛山市海融科创知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
陈志超
优先权 ：
CN202220154541.X
主分类号 ：
H01J37/317
IPC分类号 ：
H01J37/317
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J37/00
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的
H01J37/30
物体局部处理用的电子束管或离子束管
H01J37/317
用于改变物体的特性或在其上加上薄层的，如离子注入
法律状态
2022-06-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
