一种离子注入装置
授权
摘要
本申请公开了一种离子注入装置，属于半导体处理技术和设备领域，解决了现有技术中束线离子注入技术保型性差以及等离子掺杂技术易引入杂质、掺杂源受限的问题。本申请的离子注入装置，沿离子的运动方向，包括依次设置的起弧室和离子注入单元，离子注入单元包括底电极和横向电极；底电极位于衬底远离离子束线的一面，横向电极位于衬底的侧面，底电极与横向电极之间周期性地施加射频。本申请离子注入装置可用于衬底的保型掺杂。
基本信息
专利标题 ：
一种离子注入装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111105971A
申请号 ：
CN201911242296.7
公开（公告）日 ：
2020-05-05
申请日 ：
2019-12-06
授权号 ：
CN111105971B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
刘金彪王桂磊王佳刘青李俊峰
申请人 ：
中国科学院微电子研究所
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京天达知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
丛洪杰
优先权 ：
CN201911242296.7
主分类号 ：
H01J37/317
IPC分类号 ：
H01J37/317 H01L21/67
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J37/00
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的
H01J37/30
物体局部处理用的电子束管或离子束管
H01J37/317
用于改变物体的特性或在其上加上薄层的，如离子注入
法律状态
2022-06-14 ：
授权
2020-05-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01J 37/317
申请日 : 20191206
申请日 : 20191206
2020-05-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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