离子注入装置的控制方法、控制系统、控制程序及离子注入装置
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摘要
本发明以短时间内求出离子注入装置的工作条件为技术课题。本发明提供了一种离子注入装置的控制方法，所述离子注入装置将从离子源(12)引出的离子束通过光学元件照射到被处理材料(W)上，该方法包括：测定步骤，测定所述被处理材料(W)附近的离子束的空间分布；估计步骤，根据测定的所述空间分布，通过离子束的轨道计算方法估计发射度，所述发射度为所述离子源处离子束的空间分布和角分布；计算步骤，利用估计的所述发射度和所述轨道计算方法，计算使所述被处理材料附近的离子束呈现所期望的空间分布的所述光学元件的工作条件；运转步骤，采用计算出的所述光学元件的工作条件运转所述离子注入装置。
基本信息
专利标题 ：
离子注入装置的控制方法、控制系统、控制程序及离子注入装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101120428A
申请号 ：
CN200680005033.9
公开（公告）日 ：
2008-02-06
申请日 ：
2006-02-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
小方诚司横尾秀和荒木正真
申请人 ：
株式会社爱发科
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
北京德琦知识产权代理有限公司
代理人 ：
陆弋
优先权 ：
CN200680005033.9
主分类号 ：
H01J37/317
IPC分类号 ：
H01J37/317 H01L21/265
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J37/00
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的
H01J37/30
物体局部处理用的电子束管或离子束管
H01J37/317
用于改变物体的特性或在其上加上薄层的，如离子注入
法律状态
2010-03-10 ：
授权
2008-04-02 ：
实质审查的生效
2008-02-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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