一种离子注入增强多层薄膜硅化物方法
实质审查的生效
摘要
本发明提出了一种离子注入增强多层薄膜硅化物方法。所述离子注入增强多层薄膜硅化物方法是穿过半导体硅衬底上已沉积形成的单层或多层金属薄膜，对所述单层或多层金属薄膜进行氩离子轰击，从而穿过所述单层或多层金属薄膜在欧姆接触区表面上形成硅化物层。具体包括：步骤1、在晶向为100的硅晶片上形成半导体器件区域；步骤2、在所述半导体器件区域的半导体硅衬底上形成单层或多层金属膜；步骤3、穿过所述单层或多层金属膜对所述硅晶片衬底进行氩离子轰击，在欧姆接触区表面上形成硅化物层。
基本信息
专利标题 ：
一种离子注入增强多层薄膜硅化物方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114373678A
申请号 ：
CN202210028297.7
公开（公告）日 ：
2022-04-19
申请日 ：
2022-01-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
洪学天王尧林林和黄宏嘉牛崇实赵大国
申请人 ：
弘大芯源（深圳）半导体有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市宝安区航城街道三围社区航城大道159号航城创新创业园A3栋二层210
代理机构 ：
北京冠和权律师事务所
代理人 ：
时嘉鸿
优先权 ：
CN202210028297.7
主分类号 ：
H01L21/3205
IPC分类号 ：
H01L21/3205
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3205
非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层或电阻层；这些层的后处理
法律状态
2022-05-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/3205
申请日 : 20220111
申请日 : 20220111
2022-04-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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