离子注入方法改善钴铬薄膜的磁性
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明是一项用离子注入并配合真空退火而组成的新方法，它可以用于改善溅射方法制备的Co-Cr合金薄膜的磁学性能，使之达到作为高密度垂直磁记录介质的技术指标。本方法具有良好的重复性。
基本信息
专利标题 ：
离子注入方法改善钴铬薄膜的磁性
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1031440A
申请号 ：
CN87104390.4
公开（公告）日 ：
1989-03-01
申请日 ：
1987-06-25
授权号 ：
CN1014007B
授权日 ：
1991-09-18
发明人 ：
柳百新李健李恒德
申请人 ：
清华大学
申请人地址 ：
北京市海淀区清华园
代理机构 ：
清华大学专利事务所
代理人 ：
张善余
优先权 ：
CN87104390.4
主分类号 ：
G11B5/85
IPC分类号 ：
G11B5/85 C23C14/48 C23C14/58
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11B
基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储
G11B5/00
借助于记录载体的激磁或退磁进行记录的；用磁性方法进行重现的；为此所用的记录载体
G11B5/84
专用于制造记录载体的方法或设备
G11B5/85
用蒸汽沉积法涂一带磁性层支承的
法律状态
2004-08-25 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
2002-03-20 ：
其他有关事项
1992-04-15 ：
授权
1991-09-18 ：
审定
1989-03-01 ：
公开
1987-12-30 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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