一种改善复合薄膜表面极化反转现象的方法及复合薄膜
授权
摘要
本申请公开一种改善复合薄膜表面极化反转现象的方法及复合薄膜,属于半导体制备领域,所述方法利用离子注入‑键合法或者键合‑减薄法,制备复合薄膜,其中,包括制备得到键合体以及对所述键合体热处理的步骤;其中,在对所述键合体热处理的过程中,通过UV紫外灯向所述铁电晶圆表面照射。UV紫外灯可以为键合体提供必要的光生载流子,从而提高键合体的导电率,这样,在热处理过程中,足够的紫外光照射可以有效的导走键合体内积聚的电荷,防止产生极化反转现象,从而保证制备得到的复合薄膜具有良好的压电性、热释电性及电光调制效率。
基本信息
专利标题 :
一种改善复合薄膜表面极化反转现象的方法及复合薄膜
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114214732A
申请号 :
CN202210159139.5
公开(公告)日 :
2022-03-22
申请日 :
2022-02-22
授权号 :
CN114214732B
授权日 :
2022-04-29
发明人 :
郑姗姗胡卉胡文李真宇刘桂银刘金鹏
申请人 :
济南晶正电子科技有限公司
申请人地址 :
山东省济南市高新区港兴三路北段1号济南药谷研发平台1号楼B1806
代理机构 :
北京弘权知识产权代理有限公司
代理人 :
逯长明
优先权 :
CN202210159139.5
主分类号 :
C30B33/00
IPC分类号 :
C30B33/00 C30B33/02 C30B29/30
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B33/00
单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的后处理
法律状态
2022-04-29 :
授权
2022-04-08 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 33/00
申请日 : 20220222
申请日 : 20220222
2022-03-22 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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