一种压电薄膜高温极化方法
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摘要

本发明涉及一种压电薄膜高温极化方法,包括:制备压电薄膜、热致相变材料与支撑衬底的复合结构;然后对复合结构进行高温退火,再以热致相变材料作为底电极,在压电薄膜上施加极化电场;最后对极化后的压电薄膜进行表面处理。本发明通过引入相变材料,一方面,相变材料在退火温度下金属化,作为底电极施加极化电压,可以提高压电薄膜的极化一致性;另一方面,相变材料在器件工作温度下绝缘化,可以作为高阻隔离层提升压电器件的射频性能。

基本信息
专利标题 :
一种压电薄膜高温极化方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN111740005A
申请号 :
CN202010553392.X
公开(公告)日 :
2020-10-02
申请日 :
2020-06-17
授权号 :
CN111740005B
授权日 :
2022-05-24
发明人 :
黄凯欧欣赵晓蒙李忠旭陈阳
申请人 :
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请人地址 :
上海市长宁区长宁路865号
代理机构 :
上海泰能知识产权代理事务所
代理人 :
魏峯
优先权 :
CN202010553392.X
主分类号 :
H01L41/257
IPC分类号 :
H01L41/257  H01L41/29  H01L41/047  
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法律状态
2022-05-24 :
授权
2022-03-29 :
专利申请权、专利权的转移
专利申请权的转移IPC(主分类) : H01L 41/257
登记生效日 : 20220317
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
变更后权利人 : 上海新硅聚合半导体有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 200050 上海市长宁区长宁路865号
变更后权利人 : 201815 上海市嘉定区新徕路163号2幢2层A区
2020-10-30 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 41/257
申请日 : 20200617
2020-10-02 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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