压电薄膜谐振器
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摘要

本发明提供一种可以抑制短波长乱真的压电薄膜谐振器。薄膜部的一部分由基板12支持,薄膜部的从基板12音响性分离的部分中含有:a)夹持压电膜16的一对电极14、18在俯视图中重叠的振动部24;b)沿着振动部24的外周的至少一部分设置在压电膜16或电极18上的附加膜20。设x(MN·秒/m3)为由密度和杨氏模量的积的平方根定义的附加膜20的音响阻抗,附加膜20的密度和厚度的积为A,电极14、18的密度和厚度的积为B,y=A/B,满足:(i)9.0≤x<44.0时,0.0092·x+0.88≤y<0.067·x+0.60…(1a)(ii)44.0≤x<79.0时,-0.0035·x+1.45≤y<0.015·x+2.9…(1b)。

基本信息
专利标题 :
压电薄膜谐振器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN101292422A
申请号 :
CN200680035920.0
公开(公告)日 :
2008-10-22
申请日 :
2006-02-09
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
梅田圭一河村秀树
申请人 :
株式会社村田制作所
申请人地址 :
日本京都府
代理机构 :
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 :
李香兰
优先权 :
CN200680035920.0
主分类号 :
H03H9/17
IPC分类号 :
H03H9/17  H03H9/54  H01L41/09  H01L41/187  H01L41/18  
相关图片
法律状态
2013-01-16 :
授权
2008-12-17 :
实质审查的生效
2008-10-22 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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