一种聚合物薄膜极化的方法
公开
摘要
本发明属于薄膜技术领域，涉及一种聚合物薄膜极化的方法，包括以下步骤：将模板置于待极化聚合物薄膜的表面，所述模板贴合极化聚合物薄膜表面的一侧表面具有微纳米结构阵列；将所述待极化聚合物薄膜加热至粘流态，在压力作用下，使部分粘流态的聚合物薄膜挤入模板表面的微纳米结构中冷却使所述待极化聚合物薄膜固化，剥离模板，完成极化过程。本发明所提供的聚合物薄膜极化方法，在极化的过程中无需施加电场，不会使聚合物薄膜和电路层直接承受高压电场，因此能够有效避免聚合物薄膜或电子器件被击穿，有效提高极化膜的生产合格率，可以实现大规模生产。
基本信息
专利标题 ：
一种聚合物薄膜极化的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613902A
申请号 ：
CN202210134585.0
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2022-02-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
胡志军何宝胜
申请人 ：
苏州大学
申请人地址 ：
江苏省苏州市吴中区石湖西路188号
代理机构 ：
苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
夏苏娟
优先权 ：
CN202210134585.0
主分类号 ：
H01L41/257
IPC分类号 ：
H01L41/257 H01L41/193 B82Y30/00
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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