磁性薄膜及其形成方法、磁性元件以及电感器和磁性元件的制造...
专利权的终止
摘要

本发明提供具有高共振频率,高频特性优异的磁性薄膜以及高频特性优异的磁性元件以及电感器。在衬底2上设置平面线圈4以及磁性薄膜1,在连接用端子J1,J2之间形成电感器。相对于衬底2的表面,沿着倾斜方向使磁性薄膜1中的倾斜生长磁性层11晶体生长成柱状(倾斜生长磁性体12)。在该倾斜生长磁性层11中,为了使倾斜生长磁性体12软磁化,向倾斜生长磁性体12混入绝缘体13。使得倾斜生长磁性层11显示出面内晶体磁各向异性,同时提高该面内晶体磁各向异性,增加各向异性磁场。能够只通过倾斜生长磁性层11的晶体生长方向来改变各向异性磁场Hk,从而增加各向异性磁场Hk,提高磁性薄膜1的共振频率fr而不降低饱和磁化强度4πMs。

基本信息
专利标题 :
磁性薄膜及其形成方法、磁性元件以及电感器和磁性元件的制造方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1801410A
申请号 :
CN200510104698.2
公开(公告)日 :
2006-07-12
申请日 :
2005-11-30
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
崔京九
申请人 :
TDK株式会社
申请人地址 :
日本东京
代理机构 :
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 :
孙秀武
优先权 :
CN200510104698.2
主分类号 :
H01F10/08
IPC分类号 :
H01F10/08  H01F10/30  H01F41/14  H01F17/00  G11B5/31  
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01F
磁体;电感;变压器;磁性材料的选择
H01F10/00
磁性薄膜,如单畴结构的
H01F10/08
按磁层的特性区分的
法律状态
2020-11-06 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01F 10/08
申请日 : 20051130
授权公告日 : 20101006
终止日期 : 20191130
2010-10-06 :
授权
2006-09-06 :
实质审查的生效
2006-07-12 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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