改善电镀薄膜均匀性的电镀方法
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摘要

本发明提供一种改善电镀薄膜均匀性的电镀方法,具体是关于电镀铜至半导体基板的开口与基板表面上的电镀方法,以提供具有均匀厚度的铜膜。将基板浸入具有促进剂的电镀液中,再电镀铜至基板与基板表面的开口。利用反向电流进行除镀步骤,于短时间内移除部分铜与过量累积的促进剂。先前电镀步骤所形成的较厚电镀铜将被除镀,使接着进行的再电镀步骤可得到均匀的上表面。本发明所述改善电镀薄膜均匀性的电镀方法,可改良IC元件的品质、良率与生产率,且可显著的减少生产成本。

基本信息
专利标题 :
改善电镀薄膜均匀性的电镀方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1847464A
申请号 :
CN200510126140.4
公开(公告)日 :
2006-10-18
申请日 :
2005-11-30
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
庄严黄鸿仪
申请人 :
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 :
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 :
北京林达刘知识产权代理事务所
代理人 :
刘新宇
优先权 :
CN200510126140.4
主分类号 :
C25D5/18
IPC分类号 :
C25D5/18  H01L21/288  H01L21/445  H05K3/18  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C25
电解或电泳工艺;其所用设备
C25D
覆层的电解或电泳生产工艺方法;电铸;工件的电解法接合;所用的装置
C25D5/00
以工艺方法为特征的电镀;工件的预处理或后处理
C25D5/18
使用调制电流、脉冲电流或换向电流的电镀
法律状态
2010-01-06 :
授权
2006-12-13 :
实质审查的生效
2006-10-18 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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