电镀设备及电镀方法
授权
摘要

本发明提出一种电镀设备,在晶圆表面进行电镀,该电镀设备具有多个电极,多个电极在晶圆表面形成电场,其中在指定区域形成独立电场,独立电场的强度为独立控制,当晶圆缺口处于指定区域时,晶圆缺口在指定区域内接收到的总电量降低。本发明还提出一种电镀方法,使用具有多个电极的电镀设备在晶圆表面进行电镀,控制多个电极在晶圆表面形成电场,其中在指定区域形成独立电场,独立电场的强度为独立控制,当晶圆缺口处于所述指定区域时,晶圆缺口在指定区域内接收到的总电量降低。该电镀设备和电镀方法,通过直接控制电场强弱的方式来控制晶圆缺口区域的电镀高度,与单纯依靠改变晶圆转速的传统方法相比,该控制更加准确可靠,且电镀效率更高。

基本信息
专利标题 :
电镀设备及电镀方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN110512248A
申请号 :
CN201810487847.5
公开(公告)日 :
2019-11-29
申请日 :
2018-05-21
授权号 :
CN110512248B
授权日 :
2022-04-12
发明人 :
贾照伟王坚王晖杨宏超
申请人 :
盛美半导体设备(上海)有限公司
申请人地址 :
上海市浦东新区张江高科技园区蔡伦路1690号第4幢
代理机构 :
上海专利商标事务所有限公司
代理人 :
陆嘉
优先权 :
CN201810487847.5
主分类号 :
C25D7/12
IPC分类号 :
C25D7/12  C25D17/06  C25D17/00  C25D17/12  C25D21/12  C25D5/18  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C25
电解或电泳工艺;其所用设备
C25D
覆层的电解或电泳生产工艺方法;电铸;工件的电解法接合;所用的装置
C25D7/00
以施镀制品为特征的电镀
C25D7/12
半导体
法律状态
2022-04-12 :
授权
2021-04-09 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C25D 7/12
申请日 : 20180521
2020-03-17 :
著录事项变更
IPC(主分类) : C25D 7/12
变更事项 : 申请人
变更前 : 盛美半导体设备(上海)有限公司
变更后 : 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 201203 上海市浦东新区张江高科技园区蔡伦路1690号第4幢
变更后 : 201203 上海市浦东新区自由贸易试验区蔡伦路1690号第4幢
2019-11-29 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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