一种改善FDSOI外延生长的薄膜工艺优化方法
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摘要
本发明公开了一种改善FDSOI外延生长的薄膜工艺优化方法，其可减少栅极区与顶层硅相连接拐角处的残留薄膜，晶体管包括衬底，衬底上分布有主动区域、沟槽隔离区、栅极区，衬底包括N型硅衬底、P型硅衬底，主动区域上表面沉积第一层顶层硅，薄膜加工包括：在N型硅衬底、P型硅衬底上表面均沉积第一层薄膜，在P型硅衬底的第一层薄膜的上方设置掩膜版，对N型硅衬底上方的第一层薄膜进行刻蚀，在第一层顶层硅的表面沉积第二层顶层硅，在第二层顶层硅表面沉积第二层薄膜，刻蚀N型硅衬底上方的第二层薄膜，对第二层薄膜刻蚀后，在第二层顶层硅的外表面沉积第三层顶层硅，第一层顶层硅、第二层顶层硅、第三层顶层硅组合形成第一组合顶层硅。
基本信息
专利标题 ：
一种改善FDSOI外延生长的薄膜工艺优化方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114121613A
申请号 ：
CN202210096866.1
公开（公告）日 ：
2022-03-01
申请日 ：
2022-01-27
授权号 ：
CN114121613B
授权日 ：
2022-04-22
发明人 ：
苏炳熏叶甜春朱纪军李彬鸿罗军赵杰
申请人 ：
广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;澳芯集成电路技术（广东）有限公司
申请人地址 ：
广东省广州市黄埔区开发区开源大道136号A栋
代理机构 ：
无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹慧萍
优先权 ：
CN202210096866.1
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 H01L21/84
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-04-22 ：
授权
2022-03-18 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20220127
申请日 : 20220127
2022-03-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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