硅基AlGaN/GaN HEMT外延薄膜及其生长方法
公开
摘要
本发明公开了硅基AlGaN/GaN HEMT外延薄膜及其生长方法，是在Si衬底上利用金属有机气相化学沉积的方法外延生长基于AlGaN/GaN异质结的HEMT外延薄膜。本发明通过在Si衬底上生长缓冲层控制Al组分渐变，并且加入AlGaN/AlN超晶格和AlN/GaN超晶格的双层超晶格缓冲层来降低晶格失配和热失配，实现大尺寸硅基AlGaN/GaN HEMT外延薄膜的生长，得到高质量的AlGaN/GaN异质结，获得高浓度高迁移率的二维电子气（2DEG）。
基本信息
专利标题 ：
硅基AlGaN/GaN HEMT外延薄膜及其生长方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613847A
申请号 ：
CN202210500579.2
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2022-05-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴春艳鲁德朱晨岳周昆楠戴一航罗林保
申请人 ：
合肥工业大学
申请人地址 ：
安徽省合肥市包河区屯溪路193号
代理机构 ：
安徽省合肥新安专利代理有限责任公司
代理人 ：
卢敏
优先权 ：
CN202210500579.2
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/12 H01L29/205 H01L29/778 H01L21/02 H01L21/335 C23C16/30
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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