一种用于制备二硫化钼薄膜的分子束外延生长设备
授权
摘要
本实用新型公开了一种用于制备二硫化钼薄膜的分子束外延生长设备,包括工作台和箱体,所述工作台顶端中间位置处安装有箱体,所述箱体前表面一侧中间位置处安装有除尘管,所述除尘管内表面顶端中间位置处与底端中间位置处均安装有静电板,所述工作台靠近底端中间位置处安装有底座,所述底座顶端中间位置处安装有真空泵,所述真空泵一侧中间位置处通过真空管连接于箱体。本实用新型解决了现有装置多采用单工位进行加工,每次加工完成后,需要再次对箱体进行真空处理和对材料板进行加热,资源浪费大,生产效率不佳,且上下料过程中,灰尘极易进入箱体内部,污染生产环境,影响薄膜生产质量的问题,提高了本实用新型的生产效率和生产质量。
基本信息
专利标题 :
一种用于制备二硫化钼薄膜的分子束外延生长设备
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202122815556.4
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2021-11-17
授权号 :
CN216614933U
授权日 :
2022-05-27
发明人 :
朱慧何东旺
申请人 :
江苏籽硕科技有限公司
申请人地址 :
江苏省泰州市医药高新技术产业开发区经济开发区创新创业产业园三期4号电子厂房1层、2层
代理机构 :
南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)
代理人 :
孙峰
优先权 :
CN202122815556.4
主分类号 :
C30B29/46
IPC分类号 :
C30B29/46 C30B23/02
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/46
含硫、硒或碲的化合物
法律状态
2022-05-27 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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