一种EuIG/SnTe异质结单晶外延薄膜及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种EuIG/SnTe异质结单晶外延薄膜及其制备方法，所述EuIG/SnTe异质结单晶外延薄膜的制备方法为：提供GGG基底，并将该GGG基底置于真空系统中；利用脉冲激光沉积生长一EuIG薄膜于该GGG基底表面；再利用分子束外延技术生长一SnTe薄膜于作为基底的EuIG薄膜表面。利用本发明方法可制备出高质量的单晶外延铁磁/拓扑晶体绝缘体异质结，可在5K时观察到线性磁电阻效应并伴随霍尔效应的双载流子现象。
基本信息
专利标题 ：
一种EuIG/SnTe异质结单晶外延薄膜及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114464729A
申请号 ：
CN202111524765.1
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2021-12-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
马嵩张安琪刘大珩刘伟张志东
申请人 ：
中国科学院金属研究所
申请人地址 ：
辽宁省沈阳市沈河区文化路72号
代理机构 ：
沈阳晨创科技专利代理有限责任公司
代理人 ：
张晨
优先权 ：
CN202111524765.1
主分类号 ：
H01L43/10
IPC分类号 ：
H01L43/10 H01L43/08 H01L43/14 C30B23/02 C30B25/02 C30B29/46 C30B33/02
法律状态
2022-05-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 43/10
申请日 : 20211214
申请日 : 20211214
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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