薄膜材料的新型异质结的制备方法及其制得的薄膜
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摘要
本发明公开一种薄膜材料的新型异质结的制备方法及其制得的薄膜，其中，该制备方法包括采用单一材质在衬底上外延生长具有各向异性的第一薄膜层；对第一薄膜层进行离子注入，使之形成含有注入离子的注入层和不含注入离子的非注入层，且注入层因离子的注入发生结构相变，非注入层保持原有结构相，以在注入层和非注入层之间形成异质结结构。由此，注入层与非注入层因相结构不同而出现不同的性能，从而使两者之间因实现耦合而形成异质结结构。由于本发明不是通过依次沉积两种不同材料的薄膜的方式形成异质结，简化了制备异质结的操作过程；而且，由于异质结薄膜是形成在一种材质的薄膜材料中，使得制得的薄膜材料能够进一步小型化。
基本信息
专利标题 ：
薄膜材料的新型异质结的制备方法及其制得的薄膜
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113437021A
申请号 ：
CN202110859153.1
公开（公告）日 ：
2021-09-24
申请日 ：
2021-07-28
授权号 ：
CN113437021B
授权日 ：
2022-06-03
发明人 ：
王长安刘宁炀陈志涛
申请人 ：
广东省科学院半导体研究所
申请人地址 ：
广东省广州市天河区长兴路363号
代理机构 ：
北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
李彬彬
优先权 ：
CN202110859153.1
主分类号 ：
H01L21/82
IPC分类号 ：
H01L21/82 H01L21/265 H01L29/12 H01L29/06
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
法律状态
2022-06-03 ：
授权
2021-10-15 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/82
申请日 : 20210728
申请日 : 20210728
2021-09-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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