一种异质薄膜衬底、其制备方法和滤波器
实质审查的生效
摘要

本申请涉及射频器件制备技术领域,特别是涉及一种异质薄膜衬底、其制备方法和滤波器。方法包括:提供支撑衬底,所述支撑衬底具有相对的第一表面和第二表面,所述第二表面为粗糙面;在所述第二表面上沉积缺陷层;所述缺陷层朝向所述支撑衬底的一侧表面和远离所述支撑衬底的一侧表面均为粗糙面;在所述缺陷层远离所述支撑衬底的一侧表面上形成绝缘层;对所述绝缘层进行抛光处理;在所述绝缘层远离所述支撑衬底的一侧表面上形成压电层,得到所述异质薄膜衬底。本申请通过设置缺陷层朝向支撑衬底的一侧表面和远离支撑衬底的一侧表面为粗糙表面,通过缺陷层的粗糙表面可以散射传播至此的体声波,解决了滤波器中的界面声波能量反射问题。

基本信息
专利标题 :
一种异质薄膜衬底、其制备方法和滤波器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114499432A
申请号 :
CN202111505907.X
公开(公告)日 :
2022-05-13
申请日 :
2021-12-10
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
欧欣李忠旭黄凯
申请人 :
上海新硅聚合半导体有限公司
申请人地址 :
上海市嘉定区汇源路55号8幢3层J
代理机构 :
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 :
苗芬芬
优先权 :
CN202111505907.X
主分类号 :
H03H3/02
IPC分类号 :
H03H3/02  H03H3/08  H03H9/02  
法律状态
2022-05-31 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H03H 3/02
申请日 : 20211210
2022-05-13 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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