波导结构复合衬底的制备方法、复合衬底及光电晶体薄膜
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摘要

本申请提供一种波导结构复合衬底的制备方法、复合衬底及光电晶体薄膜,其中,所述波导结构复合衬底的制备方法包括在衬底层上制备波导层前体;在所述波导层前体上制备移除层前体;在所述移除层前体上进行刻蚀,形成移除层;在所述波导层前体上进行刻蚀,形成波导层,所述波导层的顶部图案和所述移除层的图案相同,其中刻蚀后在所述波导层中形成凹槽结构,所述凹槽结构的高度等于所述波导层厚度;在所述衬底层上所述移除层所在的一侧沉积包覆隔离层材料;去除所述移除层;继续沉积所述包覆隔离层材料,并对其平坦化至目标厚度,得到包覆隔离层,获得波导结构复合衬底。采用上述方案,缩短复合衬底的制备时间,提高复合衬底的制备效率。

基本信息
专利标题 :
波导结构复合衬底的制备方法、复合衬底及光电晶体薄膜
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN112379480A
申请号 :
CN202011289162.3
公开(公告)日 :
2021-02-19
申请日 :
2020-11-17
授权号 :
CN112379480B
授权日 :
2022-05-24
发明人 :
王金翠张秀全连坤刘桂银张涛李真宇
申请人 :
济南晶正电子科技有限公司
申请人地址 :
山东省济南市高新区港兴三路北段1号济南药谷研发平台1号楼B1806
代理机构 :
北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
逯长明
优先权 :
CN202011289162.3
主分类号 :
G02B6/136
IPC分类号 :
G02B6/136  G02B6/132  G02B6/13  
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IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02B
光学元件、系统或仪器附注
G02B6/00
光导;包含光导和其他光学元件的装置的结构零部件
G02B6/10
光波导式的
G02B6/12
集成光路类型
G02B6/13
以制作方法为特征的集成光路
G02B6/136
用蚀刻法
法律状态
2022-05-24 :
授权
2021-03-09 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G02B 6/136
申请日 : 20201117
2021-02-19 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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