一种复合衬底的制备方法、复合衬底以及电子元器件
实质审查的生效
摘要
本申请提供一种复合衬底的制备方法、复合衬底以及电子元器件。其中复合衬底的制备方法包括：通过先在衬底上制备第一多晶硅薄膜层，然后通过第一次退火使第一多晶硅薄膜层的晶粒进一步长大获得多晶硅晶籽层，在多晶硅晶籽层上继续制备第二多晶硅薄膜层，改善因晶格匹配度低导致的衬底层对晶粒的影响，提高晶格匹配度，减少第一多晶硅薄膜层和第二多晶硅薄膜层中晶格大小的差异，提高多晶硅层的电阻均匀性。同时，通过对第二多晶硅薄膜层进行第二次退火处理，可以抑制后续高温工艺阶段多晶硅晶粒的重构程度，减少多晶硅晶格大小差异，得到一种靠近衬底层与绝缘层处晶粒尺寸大且分布均匀的多晶硅层。
基本信息
专利标题 ：
一种复合衬底的制备方法、复合衬底以及电子元器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284135A
申请号 ：
CN202111585905.6
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李真宇杨超孔霞刘亚明韩智勇陈明珠郑珊珊姜传晓
申请人 ：
济南晶正电子科技有限公司
申请人地址 ：
山东省济南市高新区港兴三路北段1号济南药谷研发平台1号楼B1806
代理机构 ：
北京弘权知识产权代理有限公司
代理人 ：
逯长明
优先权 ：
CN202111585905.6
主分类号 ：
H01L21/205
IPC分类号 ：
H01L21/205 H01L21/316 H01L21/318 H01L21/762 H01L27/12
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
H01L21/205
应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的，即化学沉积
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/205
申请日 : 20211220
申请日 : 20211220
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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