一种复合碳化硅衬底及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提出了一种复合碳化硅衬底，包括碳化硅单晶层、碳化硅多晶层以及位于碳化硅单晶层与碳化硅多晶层之间碳化硅陶瓷层；所述碳化硅单晶层晶体为六方相4H型，所述碳化硅多晶层晶体颗粒为立方相3C型；所述碳化硅陶瓷层晶体颗粒为六方相4H型和立方相3C型的混合；所述碳化硅陶瓷层靠近碳化硅单晶层的一侧，其六方相4H型晶体颗粒的平均尺寸大于陶瓷层中其他位置的4H型晶体颗粒；所述碳化硅陶瓷层靠近碳化硅多晶层的一侧，其立方相3C型晶体颗粒平均尺寸大于陶瓷层中其他位置的3C型晶体颗粒。解决了碳化硅单晶和多晶复合衬底存在的界面空隙和缺陷问题，能有效保持衬底性能稳定及与后续垂直器件工艺的兼容性，为高性能低成本碳化硅基器件制备奠定基础。
基本信息
专利标题 ：
一种复合碳化硅衬底及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114447095A
申请号 ：
CN202210098073.3
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2022-01-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王振中
申请人 ：
无锡华鑫检测技术有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市惠山经济开发区堰新路311号1号楼0118室
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202210098073.3
主分类号 ：
H01L29/04
IPC分类号 ：
H01L29/04 H01L29/06 H01L29/16 H01L21/336 C30B29/36 C30B33/06
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/04
申请日 : 20220127
申请日 : 20220127
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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