一种用于制备氮化物单晶薄膜的碳化硅复合衬底
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种用于制备氮化物单晶薄膜的碳化硅复合衬底，该复合衬底通过在碳化硅衬底表面设置上表面平整的氮化硅层，很好地整平了碳化硅衬底凹凸不平的表面，使得衬底表面变得光滑平整，有利于后期外延生长出高质量的氮化单晶薄膜。此外，本发明的碳化硅衬底无需减薄，厚度较大，有利于后期工艺的加工，从而进一步提升整个成品的质量，提高整个生产过程的良率，减少废品率，节约生产成本。
基本信息
专利标题 ：
一种用于制备氮化物单晶薄膜的碳化硅复合衬底
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114429898A
申请号 ：
CN202111554696.9
公开（公告）日 ：
2022-05-03
申请日 ：
2021-12-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
徐良余雅俊占俊杰陈素春孟秀清阳明益林骞
申请人 ：
浙江富芯微电子科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省金华市婺城区秋滨街道南二环西路2688号3#厂房（自主申报）
代理机构 ：
北京辰权知识产权代理有限公司
代理人 ：
张晓玲
优先权 ：
CN202111554696.9
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 C30B25/02 C30B29/38
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20211217
申请日 : 20211217
2022-05-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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