生长第（Ⅲ）族金属氮化物薄膜的方法和装置、以及第（Ⅲ）族...
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摘要
本发明描述了一种通过远程等离子体强化化学汽相淀积生长第(Ⅲ)族金属氮化物薄膜的方法和装置。该方法包括，将选自衬底和包括缓冲层的衬底的目标在生长室内加热到大约400℃至大约750℃的温度范围，在远离生长室的氮等离子体中产生活性中性氮种，并将该活性中性氮种输送至生长室中。在生长室中形成反应混合物，该反应化合物中含有能够与氮种反应形成第(Ⅲ)族金属氮化物薄膜的第(Ⅲ)族金属物种，并且该第(Ⅲ)族金属氮化物薄膜在使薄膜适用于装置用途的条件下在所加热的目标上形成。本发明还描述了一种显示低于1.6原子％的氧浓度的第(Ⅲ)族金属氮化物薄膜。
基本信息
专利标题 ：
生长第（Ⅲ）族金属氮化物薄膜的方法和装置、以及第（Ⅲ）族金属氮化物薄膜
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101124353A
申请号 ：
CN200580039462.3
公开（公告）日 ：
2008-02-13
申请日 ：
2005-09-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
K·S·A·布彻M－P·F·温特伯特埃普富凯P·P－T·陈J·L·P·坦恩哈韦D·I·约翰逊
申请人 ：
盖利姆企业私人有限公司
申请人地址 ：
澳大利亚新南威尔士
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
沙捷
优先权 ：
CN200580039462.3
主分类号 ：
C23C16/34
IPC分类号 ：
C23C16/34 H01L21/205
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/22
以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C16/30
沉积化合物、混合物或固溶体，例如硼化物、碳化物、氮化物
C23C16/34
氮化物
法律状态
2011-12-14 ：
授权
2008-04-09 ：
实质审查的生效
2008-02-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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