金属薄膜缺陷的检测方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种金属薄膜缺陷的检测方法，先在半导体衬底上形成具有铜析出物的金属薄膜，然后执行湿法清洗工艺以在所述金属薄膜的表面形成与所述铜析出物对应的空洞，在执行湿法清洗工艺的过程中，湿法清洗工艺的清洗液会与金属薄膜表面的铜析出物发生化学反应从而形成所述空洞，通过空洞可以简单、准确及快速的得到金属薄膜表面的铜析出物的缺陷分布。进一步的，通过扫描所述金属薄膜以获得所述金属薄膜表面预定区域内的空洞的数量，可将金属薄膜表面的铜析出物缺陷可量化，由此可以表征金属薄膜的铜析出物缺陷的含量，从而通过铜析出物的含量评估金属薄膜的质量。
基本信息
专利标题 ：
金属薄膜缺陷的检测方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334688A
申请号 ：
CN202111561816.8
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
孙洪福罗锟丁同国梁肖
申请人 ：
上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区祖冲之路1399号
代理机构 ：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
周耀君
优先权 ：
CN202111561816.8
主分类号 ：
H01L21/66
IPC分类号 ：
H01L21/66 H01L21/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/66
申请日 : 20211216
申请日 : 20211216
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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