缺陷检测方法
授权
摘要
本发明提供了一种缺陷检测方法，采用缺陷检测机台对晶圆上的晶粒进行缺陷检测，包括：以第一方向为扫描方向，获取缺陷检测机台的扫描窗口沿第一方向的宽度a及晶粒沿第一方向的宽度b；利用公式b/a计算沿第一方向覆盖晶粒需要的扫描窗口的数量，当a无法整除b且b/a的小数部分小于或等于第一设定值时，将晶粒沿第一方向的边缘排除设定宽度；由于晶粒的边缘区域通常是非功能区，用作支撑和/或测试，所以没必要对边缘进行缺陷扫描，将晶粒的边缘排除后，只需要以第一方向为扫描方向，对晶粒在第一方向上剩余的宽度进行缺陷检测，可以减小重叠区域沿扫描方向的宽度，在不降低缺陷检测的精度的情况下也能提高缺陷检测的效率。
基本信息
专利标题 ：
缺陷检测方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110931378A
申请号 ：
CN201911194930.4
公开（公告）日 ：
2020-03-27
申请日 ：
2019-11-28
授权号 ：
CN110931378B
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
李飞王森
申请人 ：
武汉新芯集成电路制造有限公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号
代理机构 ：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹廷廷
优先权 ：
CN201911194930.4
主分类号 ：
H01L21/66
IPC分类号 ：
H01L21/66
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2022-05-10 ：
授权
2020-04-21 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/66
申请日 : 20191128
申请日 : 20191128
2020-03-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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