一种氮化物和金属薄膜沉积与修整设备
授权
摘要
本实用新型公开了一种氮化物和金属薄膜沉积与修整设备，包括载片装置、修膜装置、金属溅射装置、氮化物溅射装置、传送装置；传送腔分别与载片腔、修膜腔、金属溅射腔、氮化物溅射腔的晶片传送口连通；在每个晶片传送口处均安装有阀门，每个阀门都能够实现独立打开或关闭；所述传送腔中设有机械手，所述机械手用于从载片盒取出晶片，并且能够在修膜腔、金属溅射腔及氮化物溅射腔之间进行传片操作。采用本实用新型在沉积薄膜的过程中，采用直流与射频磁控溅射相结合的方法，可以避免沉积的薄膜中间厚边缘薄的问题，结合等离子体刻蚀修膜技术，可以使4‑8英寸晶片上的薄膜厚度均匀性≤0.1％。
基本信息
专利标题 ：
一种氮化物和金属薄膜沉积与修整设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921288130.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-09
授权号 ：
CN211142151U
授权日 ：
2020-07-31
发明人 ：
李国强
申请人 ：
广州市艾佛光通科技有限公司
申请人地址 ：
广东省广州市黄埔区金中路23号自编一栋办公区303房
代理机构 ：
广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
陶洁雯
优先权 ：
CN201921288130.4
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35 C23C14/56 C23C14/18 C23C14/16 C23C14/06 C23C14/02 C23C14/58
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2020-07-31 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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