金属薄膜形成方法
专利权的终止
摘要
一种金属膜形成的方法包括如下步骤：形成一层主要由铝构成的非单晶金属膜，其一部分至少与以铝为主要成分的单晶金属相接触；加热所述非单晶金属膜使其至少一部分变成单晶态。
基本信息
专利标题 ：
金属薄膜形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1060558A
申请号 ：
CN91104047.1
公开（公告）日 ：
1992-04-22
申请日 ：
1991-07-06
授权号 ：
CN1056015C
授权日 ：
2000-08-30
发明人 ：
坪内和夫益一哉
申请人 ：
坪内和夫
申请人地址 ：
日本宫城县
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
杨晓光
优先权 ：
CN91104047.1
主分类号 ：
H01L21/28
IPC分类号 ：
H01L21/28 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
法律状态
2011-08-17 ：
专利权的终止
专利权有效期届满号牌文件类型代码 : 1611
号牌文件序号 : 101097333258
IPC(主分类) : H01L 21/28
专利号 : ZL911040471
申请日 : 19910706
授权公告日 : 20000830
期满终止日期 : 20110706
号牌文件序号 : 101097333258
IPC(主分类) : H01L 21/28
专利号 : ZL911040471
申请日 : 19910706
授权公告日 : 20000830
期满终止日期 : 20110706
2002-06-12 ：
其他有关事项
2000-08-30 ：
授权
1993-12-08 ：
实质审查请求的生效
1992-04-22 ：
公开
1992-04-01 ：
实质审查请求已生效的专利申请
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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