溅射金属膜机台
专利权的终止
摘要

本实用新型公开了一种溅射金属膜机台,为了利用现有溅射金属膜机台进行生成TiN的工艺反应,该机台包括:腔体11,腔体11外接用于引入氩气气体的管路12和用于引入去除腔体真空的氮气气体的管路13,管路12上串接开关121,管路13上串接开关132,管路13的靠近腔体部分131一端与腔体11相连,另一端通过三通接头14连接管路13的远离腔体部分133和用于引入用于反应的氮气气体的管路15,管路15上串接开关151,开关121和开关151与联动机构16相连,开关132串接于管路13的远离腔体部分133,由于新增管路15,使得改造后的溅射金属膜机台能够接入N2反应气体,并进行生成TiN的工艺反应。

基本信息
专利标题 :
溅射金属膜机台
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200820080242.6
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2008-04-28
授权号 :
CN201217691Y
授权日 :
2009-04-08
发明人 :
肖士悦崔晓娟禤亮张明才
申请人 :
北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请人地址 :
100871北京市海淀区成府路298号中关村方正大厦513
代理机构 :
北京同达信恒知识产权代理有限公司
代理人 :
郭润湘
优先权 :
CN200820080242.6
主分类号 :
C23C14/34
IPC分类号 :
C23C14/34  C23C14/35  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
法律状态
2018-05-25 :
专利权的终止
专利权有效期届满IPC(主分类) : C23C 14/34
申请日 : 20080428
授权公告日 : 20090408
2010-05-26 :
专利实施许可合同备案的生效、变更及注销
专利实施许可合同备案的生效号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101002378264
IPC(主分类) : C23C 14/34
专利号 : ZL2008200802426
合同备案号 : 2010110000036
让与人 : 北大方正集团有限公司
受让人 : 深圳方正微电子有限公司
实用新型名称 : 溅射金属膜机台
申请日 : 20080428
授权公告日 : 20090408
许可种类 : 独占许可
备案日期 : 20100401
2009-04-08 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN201217691Y.PDF
PDF下载
  • 联系电话
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 联系 Q Q
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 关注微信
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 收藏
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332