溅射装置
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种可抑制在被处理基板的外边缘部处的局部升温的溅射装置。本发明的溅射装置(SM)具有：将靶(2)和被处理基板(Sw)相对配置的真空室；以及挡板(5)，其在真空室内围绕靶和被处理基板之间的成膜空间(1a)；所述溅射装置上设置有对挡板进行冷却的冷却单元，挡板具有配置在被处理基板周围的第一挡板部(5a)，其具有使被处理基板面向成膜空间的第一开口(51)，所述第一开口与该被处理基板具有同样的轮廓，冷却单元具有第一冷媒通道(55)，其设置在第一挡板部上，并具有延伸到位于第一开口周围的第一挡板部的部分的通道部分(55a)。
基本信息
专利标题 ：
溅射装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114481058A
申请号 ：
CN202111281677.3
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-11-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
铃木康司长岛英人田代征仁
申请人 ：
株式会社爱发科
申请人地址 ：
日本神奈川县茅崎市荻园2500番地
代理机构 ：
北京英特普罗知识产权代理有限公司
代理人 ：
齐永红
优先权 ：
CN202111281677.3
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35 C23C14/34
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/35
申请日 : 20211101
申请日 : 20211101
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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