真空溅射镀膜装置
实质审查的生效
摘要

本发明公开一种真空溅射镀膜装置,真空溅射镀膜装置包括进口室、进口缓冲室、进口过渡室、镀膜室、出口过渡室、出口缓冲室以及出片室,所述镀膜室内部设有镀膜腔,所述镀膜腔内设有用于基片通过的移动间隙,所述移动间隙的两侧均设置有溅射阴极,所述镀膜室内设有与用于装载基片的基片架连接的磁导向装置,以通过所述磁导向装置令所述基片架在所述移动间隙流转;所述镀膜腔内设置有阻挡件,所述阻挡件能够阻挡在所述溅射阴极和所述基片之间。本发明提供的真空溅射镀膜装置根本上解决了机械导向磨擦掉灰,机械导向阻力不均匀引起的卡滞、抖动现象,保证了基片架运行的平稳性、连续性,有效提升了所镀膜层的均匀性。

基本信息
专利标题 :
真空溅射镀膜装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114318267A
申请号 :
CN202111664346.8
公开(公告)日 :
2022-04-12
申请日 :
2021-12-31
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
陈立薛闯李俊杰李新栓寇立黄乐孙桂红潘继峰
申请人 :
湘潭宏大真空技术股份有限公司
申请人地址 :
湖南省湘潭市九华经济区盛世路8号
代理机构 :
湖南乔熹知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
周琼
优先权 :
CN202111664346.8
主分类号 :
C23C14/35
IPC分类号 :
C23C14/35  C23C14/50  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的,例如磁控溅射
法律状态
2022-04-29 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/35
申请日 : 20211231
2022-04-12 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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