陶瓷板真空溅射镀膜装置
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摘要
本实用新型公开了一种陶瓷板真空溅射镀膜装置，其包括真空腔室、公转工件架、内侧圆柱溅射靶、内侧平面溅射靶、内侧离子源、外侧圆柱溅射靶、外侧平面溅射靶和外侧离子源；内、外侧离子源用于基片表面镀膜前清洁及辅助沉积，有效提升镀层与陶瓷基板的浸润性和结合力；设有内、外侧圆柱溅射靶和内、外侧平面溅射靶，可以实现复合薄膜的高效沉积，也可以同时对平面状或弧面状的陶瓷基板进行单、双面镀膜加工，大大提升工作效率，而且是利用公转工件架的公转带动陶瓷基板移动，陶瓷基板无需自转，确保陶瓷基板与靶材的间隔的的恒定，有利于镀膜的均匀性，也使得待镀陶瓷基板与靶材及离子源之间可实现小间距设置，有效增强膜层附着力，镀膜效果好。
基本信息
专利标题 ：
陶瓷板真空溅射镀膜装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922137842.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-03
授权号 ：
CN211112195U
授权日 ：
2020-07-28
发明人 ：
王维昀王新强李永德王后锦袁冶康俊杰
申请人 ：
松山湖材料实验室
申请人地址 ：
广东省东莞市松山湖大学创新城A1栋
代理机构 ：
深圳市千纳专利代理有限公司
代理人 ：
童海霓
优先权 ：
CN201922137842.2
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35 C23C14/50
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2020-07-28 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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