电子陶瓷连续式溅射镀膜设备
专利权的终止
摘要
一种电子陶瓷连续式溅射镀膜设备,包括机体和真空抽气装置,所述真空抽气装置与机体相连通,其特征在于所述机体由依次相邻、且相通的五个真空室构成,相邻的真空室之间设有隔离阀,所述五个真空室分别为预抽室、前过渡室、溅射室、后过渡室和减压室,在所述溅射室内装有相对布置的金属溅射靶,在机体内还设有相配合摩擦式工件传输装置和工件架,摩擦式工件传输装置能够将工件架输送到机体中,所述工件架能够依次送入五个真空室内,并能被输送出机体;机体外设有进片台、出片台和片架返回机构,所述的片架返回机构、进片台、摩擦式工件传输装置和出片台依次相联接成一个可连续传输工件架的环行传输线;本发明具有产量大、生产成本低、膜层均匀性好、结合力强、抗高温熔蚀等优点。
基本信息
专利标题 :
电子陶瓷连续式溅射镀膜设备
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1804112A
申请号 :
CN200610049197.3
公开(公告)日 :
2006-07-19
申请日 :
2006-01-20
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
王德苗任高潮董树荣金浩顾为民
申请人 :
浙江大学
申请人地址 :
310027浙江省杭州市西湖区浙大路38号
代理机构 :
杭州君易知识产权代理事务所
代理人 :
陈向群
优先权 :
CN200610049197.3
主分类号 :
C23C14/34
IPC分类号 :
C23C14/34 C23C14/56 C23C14/54 C23C14/35 C23C14/04
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
法律状态
2016-03-16 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101650104800
IPC(主分类) : C23C 14/34
专利号 : ZL2006100491973
申请日 : 20060120
授权公告日 : 20080102
终止日期 : 20150120
号牌文件序号 : 101650104800
IPC(主分类) : C23C 14/34
专利号 : ZL2006100491973
申请日 : 20060120
授权公告日 : 20080102
终止日期 : 20150120
2008-01-02 :
授权
2006-09-13 :
实质审查的生效
2006-07-19 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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