溅射镀膜设备
实质审查的生效
摘要
本发明公开了溅射镀膜设备，包括送料机构与溅射镀膜机构，溅射镀膜机构包括周转室、第一溅射腔室、第二溅射腔室、第三溅射腔室以及第四溅射腔室，周转室设于溅射镀膜机构的中间，而第一溅射腔室、第二溅射腔室、第三溅射腔室以及第四溅射腔室依次围绕周转室设置，第一溅射腔室的外部设有低压溅射装置，第二溅射腔室的外部设有第一磁控溅射装置、第二磁控溅射装置以及第三磁控溅射装置，第三溅射腔室的外部设有第四磁控溅射装置、电感耦合等离子光谱发生仪以及第五磁控溅射装置，第四溅射腔室的外部设有第一RF离子源清洗装置、第六磁控溅射装置以及第七磁控溅射装置。
基本信息
专利标题 ：
溅射镀膜设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114525486A
申请号 ：
CN202210136775.6
公开（公告）日 ：
2022-05-24
申请日 ：
2022-02-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
高佳
申请人 ：
东莞市峰谷纳米科技有限公司
申请人地址 ：
广东省东莞市大岭山镇对面岭街31号7号楼801室
代理机构 ：
深圳市优赛诺知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘斌强
优先权 ：
CN202210136775.6
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35 C23C14/56
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/35
申请日 : 20220215
申请日 : 20220215
2022-05-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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