多弧-磁控溅射多功能镀膜设备
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
多弧-磁控溅射多功能镀膜设备，属于一种镀覆设备。该设备在多弧离子镀设备中通过法兰密封在真空室的顶部或底部的轴线上装有磁控溅射靶(或加热器)，每个弧源处装有挡板(或拿掉挡板)。因此它不仅能进行高温镀膜，又可在辉光放电下进行低熔点的金属与非金属及塑料的高速低温镀膜，还可同时开动弧源及磁控溅射靶进行镀不同材质、不同结构的多层膜或合金膜，大大拓宽了多弧离子镀设备的使用范围，增加了使用功能，节约了开支。
基本信息
专利标题 ：
多弧-磁控溅射多功能镀膜设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN90226142.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
1990-12-25
授权号 ：
CN2086749U
授权日 ：
1991-10-16
发明人 ：
张宝复王福柱张琦张云汉
申请人 ：
航空航天工业部第五研究院五一一研究所
申请人地址 ：
100029北京市785信箱
代理机构 ：
航空航天工业部航天专利事务所
代理人 ：
王兰凤
优先权 ：
CN90226142.8
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
1999-02-24 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1996-02-21 ：
专利权有效期的续展(依据修改前的专利法第45条)
1992-05-20 ：
授权
1991-10-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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