一种中频反应磁控溅射镀膜设备
授权
摘要
本实用新型公开了一种中频反应磁控溅射镀膜设备，所述设备包括设备支架、真空腔体和电源柜，所述真空腔体固定在设备支架的上方，所述真空腔体前端设置有离子源，后端中部与离子源相对的位置设置有中频孪生靶，在真空腔体的外侧顶部设置有分子泵；所述真空腔体内部下方设置有基片转台，所述基片转台上设置有至少一个基片架；所述基片转台的转速通过电源柜内的控制器控制。本实用新型所述镀膜设备可使薄膜充分的氧化、氮化，提高了沉积薄膜质量，可适用于不同靶材的溅射，而且所述结构紧凑，设计合理，工艺过程控制简单。
基本信息
专利标题 ：
一种中频反应磁控溅射镀膜设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920737544.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-20
授权号 ：
CN210065900U
授权日 ：
2020-02-14
发明人 ：
何云鹏蔺增刘兴龙
申请人 ：
泰安东大新材表面技术有限公司;东北大学
申请人地址 ：
山东省泰安市高新区配天门大街1608号
代理机构 ：
济南圣达知识产权代理有限公司
代理人 ：
吕薇
优先权 ：
CN201920737544.4
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35 C23C14/50 C23C14/52 C23C14/56
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2020-02-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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