一种水平立式磁控溅射镀膜设备
授权
摘要
本实用新型涉及镀膜设备领域，具体公开了一种水平立式磁控溅射镀膜设备，包括底架、主电控单元和依次设置在底架上的进出片区、等离子放电腔体、缓冲腔体和镀膜制程腔体；所述进出片区、等离子放电腔体和镀膜制程腔体内分别设置有导轨，所述导轨上设置有运载车；所述进出片区、等离子放电腔体、缓冲腔体和镀膜制程腔体两两之间设置有可控门；所述等离子放电腔体内开设有抽气孔，所述抽气孔通过管道连接抽气泵；所述主电控单元分别电气连接抽气泵、可控门和运载车。本实用新型提供一种能够有效提升产能、减少占地面积以及效率的水平立式磁控溅射镀膜设备。
基本信息
专利标题 ：
一种水平立式磁控溅射镀膜设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922337848.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-23
授权号 ：
CN211170865U
授权日 ：
2020-08-04
发明人 ：
高瑞三林志荣高大钧詹奇峯
申请人 ：
众鼎瑞展电子科技（深圳）有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市宝安区沙井镇壆岗大壆工业区环镇南路A5-11
代理机构 ：
广州市红荔专利代理有限公司
代理人 ：
李彦孚
优先权 ：
CN201922337848.4
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35 C23C14/56
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2020-08-04 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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