一种真空溅射镀膜装置

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摘要

本实用新型涉及真空镀膜技术领域。本实用新型公开了一种真空溅射镀膜装置，包括一真空腔体以及间隔设置在该真空腔体内的A靶和B靶，A靶和B靶分别连接第一电源，B靶的等离子体的方向朝向A靶的表面，A靶的等离子体的方向朝向基板，用于将A靶和B靶的材料沉积在基板上而形成薄膜层，还包括第一导电板，第一导电板设置在基板的远离A靶的另一侧，第一导电板连接第二电源的一输出端。本实用新型通过将B靶的等离子体朝向A靶的表面，A靶的等离子体朝向基板方向，这样B靶的材料就先沉积到A靶上，然后再和A靶的材料一起沉积到基板上，能够很容易实现多组分薄膜层的沉积，且可提高所沉积膜层的组分均匀性，可以用于各种不同材料的沉积。

基本信息

专利标题：

一种真空溅射镀膜装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020824491.2

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-05-18

授权号：

CN212152430U

授权日：

2020-12-15

发明人：

胡兴微蒋玉东

申请人：

四川猛犸半导体科技有限公司

申请人地址：

四川省宜宾市临港经开区长江北路西段附三段17号企业服务中心731室

代理机构：

厦门市精诚新创知识产权代理有限公司

代理人：

方惠春

优先权：

CN202020824491.2

主分类号：

C23C14/35

IPC分类号：

C23C14/35