靶材溅射装置
授权
摘要
本实用新型公开了靶材溅射装置，包括底座，所述底座的上端中部固定连接有两个支撑板，两个所述支撑板的右端下部均开有移动口，两个所述支撑板的相对面上部共同固定连接有限位杆，右侧所述支撑板的右端上部穿插活动连接有移动装置，所述底座的上端中部开有滑槽，所述滑槽内滑动连接有放置装置，所述底座的上端左部和上端右部均固定连接有挡板，右侧所述挡板的右端下部穿插固定连接有推动装置。本实用新型所述的靶材溅射装置，通过设置放置装置和推动装置，便于两个靶材交替进行镀膜，缩短了更换靶材的时间，提高了生产效率，通过设置移动装置，提高了对靶材轰击的均匀性，延长了靶材的使用寿命。
基本信息
专利标题 ：
靶材溅射装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021429934.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-20
授权号 ：
CN212955323U
授权日 ：
2021-04-13
发明人 ：
温艳玲焦晓希张学智
申请人 ：
河北冠靶科技有限公司
申请人地址 ：
河北省石家庄市兴业街与火炬路交叉口西北角
代理机构 ：
北京化育知识产权代理有限公司
代理人 ：
尹均利
优先权 ：
CN202021429934.4
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2021-04-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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