对磁控溅射中旋转靶材进行基距调整的装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种对磁控溅射中旋转靶材进行基距调整的装置，包括：旋转靶材，其一端设置有与门车进行固定第一调距板；用于实现磁控溅射的反应腔，其一端设置有可供旋转靶材伸入的第一轴孔，另一端设置有可供旋转靶材下方支撑轴伸出的条形第二轴孔；设置在反应腔一侧，并与第二轴孔位置相配合的第二调距板；其中，所述第一调距板、第二调距板上分别设置有对旋转靶材的垂直位置进行调整的第一条形螺孔、第二条形螺孔。本实用新型提供一种对磁控溅射中旋转靶材进行基距调整的装置，其能够通过设置相配合的两块调距板，配合其上的条形螺孔，对真空磁控溅射镀膜设备中旋转靶材与基材之间的距离进行调整，直接改善镀膜的有效沉积速率及均匀性。
基本信息
专利标题 ：
对磁控溅射中旋转靶材进行基距调整的装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921060716.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-08
授权号 ：
CN210176943U
授权日 ：
2020-03-24
发明人 ：
梁伟陈培专李仁龙魏昌华高翔
申请人 ：
绵阳金能移动能源有限公司
申请人地址 ：
四川省绵阳市涪城区凤凰中路8号
代理机构 ：
北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
贾晓燕
优先权 ：
CN201921060716.5
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2020-03-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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