修正装置及溅射装置
授权
摘要
本实用新型提出了一种修正装置，用于对靶材溅射出的靶材粒子进行遮挡，包括设于靶材一侧的固定件、修正组件及遮挡件；固定件上形成有允许靶材粒子穿过的通道；修正组件设于固定件上，且延伸至所述通道，通过延伸至所述通道的面积调节通道的大小；遮挡件设于固定件的相对两侧，用于阻止靶材粒子向固定件两侧溅射。本实用新型还提出了一种溅射装置，包括靶材和上述的修正装置。本实用新型提出的溅射装置中的修正装置与所述靶材相连，可修正靶材朝工件溅射的靶材粒子的粒子有效溅射量。本实用新型提出的修正装置中的修正组件可通过调整通道的大小来修正靶材的粒子有效溅射量，使得从通道向工件不同位置溅射的靶材粒子均匀沉积在工件表面。
基本信息
专利标题 ：
修正装置及溅射装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020455082.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-31
授权号 ：
CN213142169U
授权日 ：
2021-05-07
发明人 ：
赵志刚沈利明冯鼎中蔡镇洲黄勇贺威鲁坤沈启航严化
申请人 ：
深圳市裕展精密科技有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市观澜富士康鸿观科技园B区厂房5栋C09栋4层、C07栋2层、C08栋3层4层、C04栋1层
代理机构 ：
深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司
代理人 ：
赵文曲
优先权 ：
CN202020455082.X
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35 C23C14/54
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2021-05-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
