溅射靶部件、溅射膜及其制造方法，溅射靶、膜体
授权
摘要
提供一种溅射靶部件，其适于得到具有高功函数以及波长633nm下的折射率1.9～2.1等特性的溅射膜。所述溅射靶部件，由Ga、In、O以及不可避免的杂质形成，Ga/In的原子比为0.90以上且为1.11以下，在EPMA的面分析中，与全部晶相相比(Ga，In)2O3相的面积比率为90％以上。
基本信息
专利标题 ：
溅射靶部件、溅射膜及其制造方法，溅射靶、膜体
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111364011A
申请号 ：
CN201910746078.0
公开（公告）日 ：
2020-07-03
申请日 ：
2019-08-13
授权号 ：
CN111364011B
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
远藤瑶辅山本浩由桃井元角田浩二奈良淳史
申请人 ：
JX金属株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
北京伟思知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
聂宁乐
优先权 ：
CN201910746078.0
主分类号 ：
C23C14/34
IPC分类号 ：
C23C14/34 C23C14/08 H01L51/54 H01L51/52 H01L51/56
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
法律状态
2022-06-07 ：
授权
2020-07-28 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/34
申请日 : 20190813
申请日 : 20190813
2020-07-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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