溅射靶部件及其制造方法
公开
摘要
本发明提供一种在含有高浓度的Ga的Ga－Sn－O系溅射靶部件中，降低体电阻率(等同于“体积电阻率”。)的有效方法。一种溅射靶部件，其含有Ga、Sn以及O，余量由不可避免的杂质构成，Ga以及Sn的原子比满足0.33≤Ga/(Ga+Sn)≤0.75，粉末X射线衍射测量中的SnO2相的峰面积ISn与整体峰面积I之比ISn/I为0.02以上。
基本信息
专利标题 ：
溅射靶部件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114574824A
申请号 ：
CN202210239950.4
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2018-12-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
水藤耕介
申请人 ：
JX金属株式会社
申请人地址 ：
日本东京都千代田区大手町一丁目1番2号
代理机构 ：
北京伟思知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
聂宁乐
优先权 ：
CN202210239950.4
主分类号 ：
C23C14/34
IPC分类号 ：
C23C14/34 C23C14/08 C04B35/457 C04B35/01 C04B35/622
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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