溅射靶和其制造方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明的目的是提供一种不含会造成环境污染的Cr的溅射靶，该溅射靶能形成具有很少颗粒的薄膜。本发明采用含有5－30wt％的钨；Al和Ti中的至少一种，其总含量为0.1－10wt％；氧含量为0.05wt％或更低；余量基本为Ni的溅射靶。优选溅射靶的平均颗粒粒径为100μm或更小，溅射靶的表面粗糙度Ra为10μm或更小。采用上述溅射靶进行溅射而得到的膜中的颗粒粒径为3μm或更大，颗粒数目小于2粒颗粒/cm2。
基本信息
专利标题 ：
溅射靶和其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1865490A
申请号 ：
CN200610059151.X
公开（公告）日 ：
2006-11-22
申请日 ：
2006-03-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
森本敏夫远北正和渡边宏幸
申请人 ：
住友金属矿山株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
隆天国际知识产权代理有限公司
代理人 ：
高龙鑫
优先权 ：
CN200610059151.X
主分类号 ：
C23C14/34
IPC分类号 ：
C23C14/34 C23C14/14 C22F1/10
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
法律状态
2009-08-12 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-01-17 ：
实质审查的生效
2006-11-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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