溅射靶及其制造方法
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摘要
本发明要解决的技术问题是提供一种在溅射时能够抑制与基板微粒增加相关联的微细结瘤的产生量的溅射靶及其制造方法。本发明提供一种陶瓷系溅射靶，其溅射面的表面粗糙度Ra为0.5μm以下，并且用激光显微镜测量的Svk值为1.1μm以下。
基本信息
专利标题 ：
溅射靶及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111663107A
申请号 ：
CN201911197853.8
公开（公告）日 ：
2020-09-15
申请日 ：
2019-11-29
授权号 ：
CN111663107B
授权日 ：
2022-05-06
发明人 ：
水口智司笹冈英俊中村晴日五来敦
申请人 ：
JX金属株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
北京伟思知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
聂宁乐
优先权 ：
CN201911197853.8
主分类号 ：
C23C14/34
IPC分类号 ：
C23C14/34
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IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
法律状态
2022-05-06 ：
授权
2020-10-13 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/34
申请日 : 20191129
申请日 : 20191129
2020-09-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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