薄膜形成装置
专利申请的视为撤回
摘要
一种薄膜形成装置，包括蒸汽发生源，使蒸汽中的集结物离子化的离子化装置，使已离子化的集结物向着基板加速的加速装置，通过将上述离子化装置的电离用电子放出部分即阴极设置在适当位置，并使其放出的电子能直接频繁地与蒸气流中的集结物相撞，从而提高集结物离子化的效率，并避免离子化装置等因直接沾上蒸镀物质、被其腐蚀而缩短寿命，以保证稳定高效地形成薄膜。
基本信息
专利标题 ：
薄膜形成装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1103112A
申请号 ：
CN93115070.1
公开（公告）日 ：
1995-05-31
申请日 ：
1993-11-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
伊藤弘基尾田直幸
申请人 ：
三菱电机株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
上海专利商标事务所
代理人 ：
黄依文
优先权 ：
CN93115070.1
主分类号 ：
C23C14/32
IPC分类号 ：
C23C14/32
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/24
真空蒸发
C23C14/32
爆炸法；蒸发及随后的气化物电离法
法律状态
1999-09-08 ：
专利申请的视为撤回
1997-05-14 ：
实质审查请求的生效
1995-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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