薄膜形成装置
驳回的专利申请
摘要
本发明的薄膜形成装置具有真空槽和内部槽，在内部槽设有喷射气体的喷嘴，同时，切去相当于从喷嘴喷出的气体的通路部分的内部槽壁，并在反应性气喷出的真空槽内设置印刷电路板，在内部槽内的反应气体通路方向设置电子束引出电极及电子束放出装置，在内部槽的反应气体通路及上述壁面的切去部分之间安装加速电极。本发明的薄膜形成装置具有高速蒸镀，以获得不同膜质的高功能薄膜。并可在较低的温度形成薄膜。
基本信息
专利标题 ：
薄膜形成装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN87104933A
申请号 ：
CN87104933.3
公开（公告）日 ：
1988-01-27
申请日 ：
1987-07-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
伊藤弘基伊奈照夫
申请人 ：
三菱电机株式会社
申请人地址 ：
日本东京千代田区
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
叶凯东
优先权 ：
CN87104933.3
主分类号 ：
C23C16/48
IPC分类号 ：
C23C16/48
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/48
辐射法，例如光分解、辐射分解、粒子辐射
法律状态
1992-06-10 ：
驳回的专利申请
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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